IXCP01N90E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXCP01N90E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 137 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 80 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
- Selección de transistores por parámetros
IXCP01N90E Datasheet (PDF)
ixcp01n90e ixcy01n90e.pdf

VDSS = 900 VIXCP 01N90EGate ControlledID(limit) = 250mAIXCY 01N90ECurrent LimiterRDS(on)= 80 N-Channel, Enhancement ModeDGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-252 (IXCY)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VTABVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900 V GVGS Continuous 20 V SVGSM Transient 30 VPD TC = 25C40 WTO-220 (IXCP)TJ -55
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: BFL4037 | NTMFS4835NT1G | DMN4010LFG | SIR888DP | RUR040N02FRA | MPSP65M650 | APT10045LFLLG
History: BFL4037 | NTMFS4835NT1G | DMN4010LFG | SIR888DP | RUR040N02FRA | MPSP65M650 | APT10045LFLLG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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