IXCP01N90E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXCP01N90E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 137 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 80 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de IXCP01N90E MOSFET
IXCP01N90E Datasheet (PDF)
ixcp01n90e ixcy01n90e.pdf
VDSS = 900 VIXCP 01N90EGate ControlledID(limit) = 250mAIXCY 01N90ECurrent LimiterRDS(on)= 80 N-Channel, Enhancement ModeDGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-252 (IXCY)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VTABVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900 V GVGS Continuous 20 V SVGSM Transient 30 VPD TC = 25C40 WTO-220 (IXCP)TJ -55
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History: STFU23N80K5 | STFU10N80K5 | IPI70R950CE
History: STFU23N80K5 | STFU10N80K5 | IPI70R950CE
Liste
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