IXCP01N90E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXCP01N90E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 137 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 80 Ohm
Encapsulados: TO-220
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IXCP01N90E datasheet
ixcp01n90e ixcy01n90e.pdf
VDSS = 900 V IXCP 01N90E Gate Controlled ID(limit) = 250mA IXCY 01N90E Current Limiter RDS(on)= 80 N-Channel, Enhancement Mode D G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-252 (IXCY) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V TAB VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 900 V G VGS Continuous 20 V S VGSM Transient 30 V PD TC = 25 C40 W TO-220 (IXCP) TJ -55
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