SCT3060AR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SCT3060AR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 165 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-4L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SCT3060AR

SCT3060AR Datasheet (PDF)

..1. Size:1202K rohm
sct3060ar.pdf

SCT3060ARN-channel SiC power MOSFET DatasheetlOutlineTO-247-4LVDSS650VRDS(on) (Typ.)60m39AID*1PD165W(1) (2)(3)(4) lInner circuitlFeatures1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Fast reverse recovery4) Easy to parallelPlease note Driver Source and Power Source are5) Simple to drivenot exchangeable. Their exchange might lead tomalfunction.6) P

6.1. Size:1018K rohm
sct3060al.pdf

SCT3060ALN-channel SiC power MOSFET Data SheetlOutline TO-247NVDSS650VRDS(on) (Typ.)60mWID39A(3) PD165W (2) (1) lInner circuitlFeatures(1) Gate (2) Drain 1) Low on-resistance(3) Source 2) Fast switching speed*1 Body Diode 3) Fast reverse recovery4) Easy to parallellPackaging specifications5) Simple to drivePacking Tube6) Pb-free lead plating

7.1. Size:242K inchange semiconductor
sct3060.pdf

isc N-Channel SiC SMOSFET Transistor SCT3060FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)78mFast switching speedFast reverse recovery100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDC/DC convertersSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

9.1. Size:903K rohm
sct3080kl.pdf

SCT3080KLN-channel SiC power MOSFET DatasheetOutline TO-247NVDSS1200VRDS(on) (Typ.)80mID31A(3) PD165W (2) (1) Inner circuit(2)Features(1) Gate(2) Drain1) Low on-resistance(3) Source*1(1)2) Fast switching speed*1 Body Diode3) Fast reverse recovery(3)4) Easy to parallelPackaging specifications5) Simple to drivePacking Tube

9.2. Size:936K rohm
sct3080klhr.pdf

SCT3080KLHRAutomotive Grade N-channel SiC power MOSFET DatasheetlOutlineTO-247NVDSS1200VRDS(on) (Typ.)80m31AID*1PD (3) 165W(2) (1) lInner circuitlFeatures(1) Gate 1) Qualified to AEC-Q101(2) Drain (3) Source 2) Low on-resistance*Body Diode 3) Fast switching speed4) Fast reverse recoveryPlease note Driver Source and Power Source are5) Easy to p

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: