Справочник MOSFET. SCT3060AR

 

SCT3060AR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SCT3060AR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-4L

 Аналог (замена) для SCT3060AR

 

 

SCT3060AR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1202K  rohm
 sct3060ar.pdf

SCT3060AR SCT3060AR

SCT3060ARN-channel SiC power MOSFET DatasheetlOutlineTO-247-4LVDSS650VRDS(on) (Typ.)60m39AID*1PD165W(1) (2)(3)(4) lInner circuitlFeatures1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Fast reverse recovery4) Easy to parallelPlease note Driver Source and Power Source are5) Simple to drivenot exchangeable. Their exchange might lead tomalfunction.6) P

 6.1. Size:1018K  rohm
 sct3060al.pdf

SCT3060AR SCT3060AR

SCT3060ALN-channel SiC power MOSFET Data SheetlOutline TO-247NVDSS650VRDS(on) (Typ.)60mWID39A(3) PD165W (2) (1) lInner circuitlFeatures(1) Gate (2) Drain 1) Low on-resistance(3) Source 2) Fast switching speed*1 Body Diode 3) Fast reverse recovery4) Easy to parallellPackaging specifications5) Simple to drivePacking Tube6) Pb-free lead plating

 7.1. Size:242K  inchange semiconductor
 sct3060.pdf

SCT3060AR SCT3060AR

isc N-Channel SiC SMOSFET Transistor SCT3060FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)78mFast switching speedFast reverse recovery100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDC/DC convertersSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

 9.1. Size:903K  rohm
 sct3080kl.pdf

SCT3060AR SCT3060AR

SCT3080KLN-channel SiC power MOSFET DatasheetOutline TO-247NVDSS1200VRDS(on) (Typ.)80mID31A(3) PD165W (2) (1) Inner circuit(2)Features(1) Gate(2) Drain1) Low on-resistance(3) Source*1(1)2) Fast switching speed*1 Body Diode3) Fast reverse recovery(3)4) Easy to parallelPackaging specifications5) Simple to drivePacking Tube

 9.2. Size:936K  rohm
 sct3080klhr.pdf

SCT3060AR SCT3060AR

SCT3080KLHRAutomotive Grade N-channel SiC power MOSFET DatasheetlOutlineTO-247NVDSS1200VRDS(on) (Typ.)80m31AID*1PD (3) 165W(2) (1) lInner circuitlFeatures(1) Gate 1) Qualified to AEC-Q101(2) Drain (3) Source 2) Low on-resistance*Body Diode 3) Fast switching speed4) Fast reverse recoveryPlease note Driver Source and Power Source are5) Easy to p

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top