CPC5602C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CPC5602C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 2 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CPC5602C

CPC5602C Datasheet (PDF)

..1. Size:105K ixys
cpc5602c.pdf

CPC5602N-Channel Depletion Mode FETParameter Rating Units DescriptionDrain-to-Source Voltage - VDS 350 V The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clares proprietary Max On-Resistance - RDS(on) 14third generation vertical DMOS process. The third Max Power 2.5 Wgeneration process realizes world class, high voltage MOSFET perf

7.1. Size:106K ixys
cpc5602.pdf

8.1. Size:106K ixys
cpc5603.pdf

CPC5603N-Channel Depletion Mode FETParameter Rating Units DescriptionDrain-to-Source Voltage - VDS 415 VThe CPC5603 is an N-channel, depletion mode Field Max On-Resistance - RDS(on) 14Effect Transistor (FET) that utilizes Clares proprietary Max Power 2.5 Wthird-generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET pe

8.2. Size:106K ixys
cpc5603c.pdf

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: