CPC5602C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CPC5602C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 85 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CPC5602C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CPC5602C даташит

 ..1. Size:105K  ixys
 cpc5602c.pdf pdf_icon

CPC5602C

CPC5602 N-Channel Depletion Mode FET Parameter Rating Units Description Drain-to-Source Voltage - VDS 350 V The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary Max On-Resistance - RDS(on) 14 third generation vertical DMOS process. The third Max Power 2.5 W generation process realizes world class, high voltage MOSFET perf

 7.1. Size:106K  ixys
 cpc5602.pdf pdf_icon

CPC5602C

CPC5602 N-Channel Depletion Mode FET Parameter Rating Units Description Drain-to-Source Voltage - VDS 350 V The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary Max On-Resistance - RDS(on) 14 third generation vertical DMOS process. The third Max Power 2.5 W generation process realizes world class, high voltage MOSFET perf

 8.1. Size:106K  ixys
 cpc5603.pdf pdf_icon

CPC5602C

CPC5603 N-Channel Depletion Mode FET Parameter Rating Units Description Drain-to-Source Voltage - VDS 415 V The CPC5603 is an N-channel, depletion mode Field Max On-Resistance - RDS(on) 14 Effect Transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary Max Power 2.5 W third-generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET pe

 8.2. Size:106K  ixys
 cpc5603c.pdf pdf_icon

CPC5602C

CPC5603 N-Channel Depletion Mode FET Parameter Rating Units Description Drain-to-Source Voltage - VDS 415 V The CPC5603 is an N-channel, depletion mode Field Max On-Resistance - RDS(on) 14 Effect Transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary Max Power 2.5 W third-generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET pe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CPC3710C, CPC3714, CPC3714C, CPC3720, CPC3720C, CPC3730, CPC3730C, CPC5602, IRFB31N20D, CPC5603, CPC5603C, CPH3324, CPH3327, CPH3340, CPH3341, CPH3362, CPH3427