CPH6311 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CPH6311

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: CPH6

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CPH6311 datasheet

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CPH6311

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CPH6311

Ordering number ENN7017 CPH6313 P-Channel Silicon MOSFET CPH6313 High-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm High-speed switching. 2151A 2.5V drive. [CPH6315] 0.15 2.9 5 6 4 0.05 1 2 3 0.95 1 Drain 2 Drain 3 Gate 4 Source 5 Drain 0.4 6 Drain Specifications SANYO CPH6 Absolute Maximum Ratings at

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CPH6311

Ordering number ENN7182 CPH6319 P-Channel Silicon MOSFET CPH6319 High-Speed Switching Applications Preliminary Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm High-speed switching. 2151A 1.8V drive. [CPH6319] 0.15 2.9 6 5 4 0.05 1 2 3 0.95 1 Drain 2 Drain 3 Gate 4 Source 5 Drain 0.4 6 Drain Specifications SANYO CPH6 Absolute Maximum

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CPH6311

Ordering number ENN7018 CPH6315 P-Channel Silicon MOSFET CPH6315 High-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm High-speed switching. 2151A 2.5V drive. [CPH6315] 0.15 2.9 5 6 4 0.05 1 2 3 0.95 1 Drain 2 Drain 3 Gate 4 Source 5 Drain 0.4 6 Drain Specifications SANYO CPH6 Absolute Maximum Ratings at

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