CPH6635 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CPH6635

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.7 Ohm

Encapsulados: CPH6

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CPH6635 datasheet

 ..1. Size:237K  onsemi
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CPH6635

Ordering number ENA2166 CPH6635 Power MOSFET http //onsemi.com 30V, 0.4A, 3.7 , 20V, 1.5A, 280m , Complementary Dual CPH6 Features Excellent ON-resistance characteristic (P-Channel RDS(on)1=215m (typ.)) Optimal for load switch use (N-Channel for drive is embedded) N-Channel 1.5V drive, P-Channel 1.8V drive Halogen Free compliance Specifica

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CPH6635

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CPH6635

Ordering number ENN7147 CPH6604 N-Channel Silicon MOSFET CPH6604 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2202 4V drive. [CPH6604] 0.15 2.9 6 5 4 0.05 1 2 3 0.95 1 Source1 2 Gate1 3 Drain2 4 Source2 5 Gate2 0.4 6 Drain1 Specifications SANYO CPH6 Absolute Maximum

 9.2. Size:31K  sanyo
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CPH6635

Ordering number ENN7146 CPH6603 P-Channel Silicon MOSFET CPH6603 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2202 4V drive. [CPH6603] 0.15 2.9 5 6 4 0.05 1 2 3 0.95 1 Source1 2 Gate1 3 Drain2 4 Source2 5 Gate2 0.4 6 Drain1 Specifications SANYO CPH6 Absolute Maximu

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