N0603N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: N0603N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 156 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 560 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET N0603N

N0603N Datasheet (PDF)

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n0603n.pdf

Preliminary Data Sheet R07DS0559EJ0100N0603N Rev.1.00Nov 07, 2011N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The N0603N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on = 4.6 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) ) Low input capacitance Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)

9.1. Size:99K renesas
rej03g0123 h7n0603dlds.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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