NDB410AE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDB410AE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: TO-263AB

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NDB410AE datasheet

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NDB410AE

May 1994 NDP410A / NDP410AE / NDP410B / NDP410BE NDB410A / NDB410AE / NDB410B / NDB410BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-channel enhancement mode power field 9 and 8A, 100V. RDS(ON) = 0.25 and 0.30 . effect transistors are produced using Fairchild's Critical DC electrical parameters specified at proprietary, high cell density

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