NDB410AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDB410AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDB410AE

NDB410AE Datasheet (PDF)

..1. Size:57K fairchild semi
ndb410ae ndb410b ndb410be ndp410ae ndp410b vndp410be.pdf

May 1994 NDP410A / NDP410AE / NDP410B / NDP410BENDB410A / NDB410AE / NDB410B / NDB410BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field9 and 8A, 100V. RDS(ON) = 0.25 and 0.30. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell density

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Liste

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