NDB410AE Todos los transistores

 

NDB410AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDB410AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB
 

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NDB410AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  fairchild semi
 ndb410ae ndb410b ndb410be ndp410ae ndp410b vndp410be.pdf pdf_icon

NDB410AE

May 1994 NDP410A / NDP410AE / NDP410B / NDP410BENDB410A / NDB410AE / NDB410B / NDB410BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field9 and 8A, 100V. RDS(ON) = 0.25 and 0.30. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell density

Otros transistores... NCV8402A , NCV8402AD , NCV8402ASTT1G , NCV8403A , NCV8405A , NCV8406A , NCV8408 , NCV8440A , 8205A , NDB410B , NDB410BE , NDB608AE , NDB608B , NDB608BE , NDB610AE , NDB610B , NDB610BE .

History: WM02P56M2 | PSMN3R0-60BS | SST80R850S | STP95N3LLH6 | MDD1503RH | IPA90R500C3 | VS3646ACM

 

 
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