Справочник MOSFET. NDB410AE

 

NDB410AE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDB410AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для NDB410AE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDB410AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  fairchild semi
 ndb410ae ndb410b ndb410be ndp410ae ndp410b vndp410be.pdf pdf_icon

NDB410AE

May 1994 NDP410A / NDP410AE / NDP410B / NDP410BENDB410A / NDB410AE / NDB410B / NDB410BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field9 and 8A, 100V. RDS(ON) = 0.25 and 0.30. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell density

Другие MOSFET... NCV8402A , NCV8402AD , NCV8402ASTT1G , NCV8403A , NCV8405A , NCV8406A , NCV8408 , NCV8440A , IRFP260 , NDB410B , NDB410BE , NDB608AE , NDB608B , NDB608BE , NDB610AE , NDB610B , NDB610BE .

History: QM4002AD | RJK2017DPP | VBA2333 | BSC072N03LDG | SL2308 | APT60M80L2VFRG

 

 
Back to Top

 


 
.