NDB610B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDB610B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO-263AB

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NDB610B datasheet

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NDB610B

May 1994 NDP610A / NDP610AE / NDP610B / NDP610BE NDB610A / NDB610AE / NDB610B / NDB610BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-channel enhancement mode power field 26 and 24A, 100V. RDS(ON) = 0.065 and 0.080 . effect transistors are produced using Fairchild's Critical DC electrical parameters specified at proprietary, high cell den

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