NDBA180N10B Todos los transistores

 

NDBA180N10B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDBA180N10B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 320 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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NDBA180N10B Datasheet (PDF)

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NDBA180N10B

NDBA180N10B Power MOSFET www.onsemi.com 100V, 2.8m, 180A, N-ChannelVDSS RDS(on) Max ID MaxFeatures 2.8m@ 15V Ultra Low On-Resistance 100V 180A 3.3m@ 10V Low Gate Charge High Speed Switching 100% Avalanche Tested Electrical Connection Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance N-Channel Specifications 2,4Absolute Maximum Ratings at

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NDBA180N10B

Ordering number : ENA2250 NDBA170N06A N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 170A, 3.3m, TO-263 Features On-resistance RDS(on)=2.5m(typ.) Electrical Connection Input Capacitance Ciss=15800pF(typ.) N-channel Halogen free compliance D(2, 4)Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Value UnitG(1)V Drain to Sourc

 9.2. Size:616K  onsemi
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NDBA180N10B

NDBA100N10B Power MOSFET www.onsemi.com 100V, 6.9m, 100A, N-Channel Features Low On-Resistance VDSS RDS(on) Max ID Max Low Gate Charge 6.9 m@15V High Speed Switching 100V 100A 8.2 m@10V 100% Avalanche Tested Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance Electrical Connection N-Channel Specifications 2, 4Absolute Maximum Ratings at Ta = 2

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History: NTMFD5C674NLT1G | HGA155N15S | PE5A1BA | TPV65R160C | APT21M100J | MPSD65M390 | SSM5N05FU

 

 
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