NDBA180N10B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDBA180N10B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 320 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3000 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Encapsulados: TO-263
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NDBA180N10B datasheet
ndba180n10b.pdf
NDBA180N10B Power MOSFET www.onsemi.com 100V, 2.8m , 180A, N-Channel VDSS RDS(on) Max ID Max Features 2.8m @ 15V Ultra Low On-Resistance 100V 180A 3.3m @ 10V Low Gate Charge High Speed Switching 100% Avalanche Tested Electrical Connection Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance N-Channel Specifications 2,4 Absolute Maximum Ratings at
ndba170n06a.pdf
Ordering number ENA2250 NDBA170N06A N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 170A, 3.3m , TO-263 Features On-resistance RDS(on)=2.5m (typ.) Electrical Connection Input Capacitance Ciss=15800pF(typ.) N-channel Halogen free compliance D(2, 4) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Value Unit G(1) V Drain to Sourc
ndba100n10b.pdf
NDBA100N10B Power MOSFET www.onsemi.com 100V, 6.9m , 100A, N-Channel Features Low On-Resistance VDSS RDS(on) Max ID Max Low Gate Charge 6.9 m @15V High Speed Switching 100V 100A 8.2 m @10V 100% Avalanche Tested Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance Electrical Connection N-Channel Specifications 2, 4 Absolute Maximum Ratings at Ta = 2
Otros transistores... NDB708B, NDB708BE, NDB710AE, NDB710B, NDB710BE, NDBA070N10B, NDBA100N10B, NDBA170N06A, IRFB3607, NDD01N60, NDD02N40, NDD03N40Z, NDD03N80Z, NDD60N360U1, NDD60N550U1, NDD60N745U1, NDD60N900U1
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Liste
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