NDDL01N60Z Todos los transistores

 

NDDL01N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDDL01N60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK IPAK
 

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NDDL01N60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  onsemi
 nddl01n60z.pdf pdf_icon

NDDL01N60Z

NDDL01N60Z, NDTL01N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 15 WFeatures 100% Avalanche Tested Gate Charge Minimizedhttp://onsemi.com Zener-protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAXCompliant600 V 15 W @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDr

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History: AFP2317 | BLF6G22LS-75 | APT50M85B2VR | 2SK1725 | IRFSL4610PBF | KMB6D6N30Q | RSS040P03FU6TB

 

 
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