NDDL01N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDDL01N60Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK IPAK
Búsqueda de reemplazo de NDDL01N60Z MOSFET
NDDL01N60Z Datasheet (PDF)
nddl01n60z.pdf

NDDL01N60Z, NDTL01N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 15 WFeatures 100% Avalanche Tested Gate Charge Minimizedhttp://onsemi.com Zener-protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAXCompliant600 V 15 W @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDr
Otros transistores... NDD01N60 , NDD02N40 , NDD03N40Z , NDD03N80Z , NDD60N360U1 , NDD60N550U1 , NDD60N745U1 , NDD60N900U1 , P60NF06 , NDDP010N25AZ , NDFP03N150C , NDFP03N150CG , NDFPD1N150C , NDFPD1N150CG , NDP410AE , NDP410B , NDP410BE .
History: IRLU3705ZPBF | MTP2N60E | CEN2301 | ALD1102APAL | FNK10N25B | ME2306AN | WM02N08H
History: IRLU3705ZPBF | MTP2N60E | CEN2301 | ALD1102APAL | FNK10N25B | ME2306AN | WM02N08H



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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