NDDL01N60Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDDL01N60Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm

Тип корпуса: DPAK IPAK

Аналог (замена) для NDDL01N60Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDDL01N60Z даташит

 ..1. Size:120K  onsemi
 nddl01n60z.pdf pdf_icon

NDDL01N60Z

NDDL01N60Z, NDTL01N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 15 W Features 100% Avalanche Tested Gate Charge Minimized http //onsemi.com Zener-protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX Compliant 600 V 15 W @ 10 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol NDD NDT Unit N-Channel MOSFET Dr

Другие IGBT... NDD01N60, NDD02N40, NDD03N40Z, NDD03N80Z, NDD60N360U1, NDD60N550U1, NDD60N745U1, NDD60N900U1, AO4407, NDDP010N25AZ, NDFP03N150C, NDFP03N150CG, NDFPD1N150C, NDFPD1N150CG, NDP410AE, NDP410B, NDP410BE