NDDL01N60Z - аналоги и даташиты транзистора

 

NDDL01N60Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NDDL01N60Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: DPAK IPAK
 

 Аналог (замена) для NDDL01N60Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDDL01N60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  onsemi
 nddl01n60z.pdf pdf_icon

NDDL01N60Z

NDDL01N60Z, NDTL01N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 15 WFeatures 100% Avalanche Tested Gate Charge Minimizedhttp://onsemi.com Zener-protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAXCompliant600 V 15 W @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDr

Другие MOSFET... NDD01N60 , NDD02N40 , NDD03N40Z , NDD03N80Z , NDD60N360U1 , NDD60N550U1 , NDD60N745U1 , NDD60N900U1 , AO4407 , NDDP010N25AZ , NDFP03N150C , NDFP03N150CG , NDFPD1N150C , NDFPD1N150CG , NDP410AE , NDP410B , NDP410BE .

History: HGP027N10A | INJ0001AU1 | STP40N60M2 | INK0010AU1 | INK0001AC1 | QS8J13 | IPA60R099C6

 

 
Back to Top

 


 
.