NDFPD1N150CG Todos los transistores

 

NDFPD1N150CG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDFPD1N150CG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 150 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

NDFPD1N150CG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  onsemi
 ndfpd1n150c ndfpd1n150cg.pdf pdf_icon

NDFPD1N150CG

Ordering number : ENA2236 NDFPD1N150C N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 1500V, 0.1A, 150, TO-220F-3FS Features On-resistance RDS(on)=100(typ.) Input Capacitance Ciss=80pF(typ.) 10V drive Specifications TO-220F-3FSAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 1500 V Gate to Source Vo

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History: H8205 | UPA1914 | STF34N65M5 | ALD1105SBL | AOCA35212E | IXTH280N055T | 2SK3886-01MR

 

 
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