NDFPD1N150CG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDFPD1N150CG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 150 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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NDFPD1N150CG datasheet

 ..1. Size:345K  onsemi
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NDFPD1N150CG

Ordering number ENA2236 NDFPD1N150C N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 1500V, 0.1A, 150 , TO-220F-3FS Features On-resistance RDS(on)=100 (typ.) Input Capacitance Ciss=80pF(typ.) 10V drive Specifications TO-220F-3FS Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS 1500 V Gate to Source Vo

Otros transistores... NDD60N550U1, NDD60N745U1, NDD60N900U1, NDDL01N60Z, NDDP010N25AZ, NDFP03N150C, NDFP03N150CG, NDFPD1N150C, 2SK3568, NDP410AE, NDP410B, NDP410BE, NDP605A, NDP605B, NDP606A, NDP606B, NDP608AE