NDFPD1N150CG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDFPD1N150CG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 150 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de NDFPD1N150CG MOSFET
NDFPD1N150CG Datasheet (PDF)
ndfpd1n150c ndfpd1n150cg.pdf

Ordering number : ENA2236 NDFPD1N150C N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 1500V, 0.1A, 150, TO-220F-3FS Features On-resistance RDS(on)=100(typ.) Input Capacitance Ciss=80pF(typ.) 10V drive Specifications TO-220F-3FSAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 1500 V Gate to Source Vo
Otros transistores... NDD60N550U1 , NDD60N745U1 , NDD60N900U1 , NDDL01N60Z , NDDP010N25AZ , NDFP03N150C , NDFP03N150CG , NDFPD1N150C , 5N65 , NDP410AE , NDP410B , NDP410BE , NDP605A , NDP605B , NDP606A , NDP606B , NDP608AE .
History: KIA4N65H-252 | STH3N150-2 | IRF3706PBF | SSF70R380S2 | IXTQ130N10T | SFB072N150C2 | NTTFS024N06C
History: KIA4N65H-252 | STH3N150-2 | IRF3706PBF | SSF70R380S2 | IXTQ130N10T | SFB072N150C2 | NTTFS024N06C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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