NDP410AE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDP410AE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: TO-220

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NDP410AE datasheet

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 ndb410ae ndb410b ndb410be ndp410ae ndp410b vndp410be.pdf pdf_icon

NDP410AE

May 1994 NDP410A / NDP410AE / NDP410B / NDP410BE NDB410A / NDB410AE / NDB410B / NDB410BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-channel enhancement mode power field 9 and 8A, 100V. RDS(ON) = 0.25 and 0.30 . effect transistors are produced using Fairchild's Critical DC electrical parameters specified at proprietary, high cell density

Otros transistores... NDD60N745U1, NDD60N900U1, NDDL01N60Z, NDDP010N25AZ, NDFP03N150C, NDFP03N150CG, NDFPD1N150C, NDFPD1N150CG, 10N65, NDP410B, NDP410BE, NDP605A, NDP605B, NDP606A, NDP606B, NDP608AE, NDP608B