NDP410AE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDP410AE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11.6 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для NDP410AE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDP410AE даташит

 ..1. Size:57K  fairchild semi
 ndb410ae ndb410b ndb410be ndp410ae ndp410b vndp410be.pdf pdf_icon

NDP410AE

May 1994 NDP410A / NDP410AE / NDP410B / NDP410BE NDB410A / NDB410AE / NDB410B / NDB410BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-channel enhancement mode power field 9 and 8A, 100V. RDS(ON) = 0.25 and 0.30 . effect transistors are produced using Fairchild's Critical DC electrical parameters specified at proprietary, high cell density

Другие IGBT... NDD60N745U1, NDD60N900U1, NDDL01N60Z, NDDP010N25AZ, NDFP03N150C, NDFP03N150CG, NDFPD1N150C, NDFPD1N150CG, 10N65, NDP410B, NDP410BE, NDP605A, NDP605B, NDP606A, NDP606B, NDP608AE, NDP608B