NDS352P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDS352P
   Código: 352
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23 SOT-346

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDS352P

NDS352P Datasheet (PDF)

..1. Size:62K fairchild semi
nds352p.pdf

March 1996NDS352P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese P-Channel logic level enhancement mode power -0.85A, -20V. RDS(ON) = 0.5 @ VGS = -4.5V.field effect transistors are produced using Fairchild'sProprietary package design using copper lead frame forproprietary, high cell density, DMOS technology. Thissuperior therma

8.1. Size:202K onsemi
nds352ap.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

8.2. Size:1668K kexin
nds352ap.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETNDS352AP (KDS352AP)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-30V ID =-0.9 A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 0.3 (VGS =-10V)1 2+0.02+0.10.15 -0.02D 0.95 -0.1 RDS(ON) 0.5 (VGS =-4.5V)1.9+0.1-0.21.Gate2.SourceG S3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ra

8.3. Size:849K cn vbsemi
nds352ap.pdf

NDS352APwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-23

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Liste

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