NDS352P datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NDS352P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Аналог (замена) для NDS352P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NDS352P даташит
nds352p.pdf
March 1996 NDS352P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These P-Channel logic level enhancement mode power -0.85A, -20V. RDS(ON) = 0.5 @ VGS = -4.5V. field effect transistors are produced using Fairchild's Proprietary package design using copper lead frame for proprietary, high cell density, DMOS technology. This superior therma
nds352ap.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
nds352ap.pdf
SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET NDS352AP (KDS352AP) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 VDS (V) =-30V ID =-0.9 A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 0.3 (VGS =-10V) 1 2 +0.02 +0.1 0.15 -0.02 D 0.95 -0.1 RDS(ON) 0.5 (VGS =-4.5V) 1.9+0.1 -0.2 1.Gate 2.Source G S 3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Ra
nds352ap.pdf
NDS352AP www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC - 30 APPLICATIONS 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch S TO-236 - DC/DC Converter (SOT-23
Другие IGBT... NDPL070N10B, NDPL070N10BG, NDPL100N10B, NDPL100N10BG, NDPL180N10B, NDPL180N10BG, NDS335N, NDS336P, K2611, NDS355N, NDS8410, NDS9405, NDS9430, NDS9430A, NDT01N60, NDT02N40, NDTL03N150C
History: STI5N52U
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor




