Справочник MOSFET. NDS352P

 

NDS352P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NDS352P
   Маркировка: 352
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23 SOT-346

 Аналог (замена) для NDS352P

 

 

NDS352P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  fairchild semi
 nds352p.pdf

NDS352P NDS352P

March 1996NDS352P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese P-Channel logic level enhancement mode power -0.85A, -20V. RDS(ON) = 0.5 @ VGS = -4.5V.field effect transistors are produced using Fairchild'sProprietary package design using copper lead frame forproprietary, high cell density, DMOS technology. Thissuperior therma

 8.1. Size:202K  onsemi
 nds352ap.pdf

NDS352P NDS352P

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 8.2. Size:1668K  kexin
 nds352ap.pdf

NDS352P NDS352P

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETNDS352AP (KDS352AP)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-30V ID =-0.9 A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 0.3 (VGS =-10V)1 2+0.02+0.10.15 -0.02D 0.95 -0.1 RDS(ON) 0.5 (VGS =-4.5V)1.9+0.1-0.21.Gate2.SourceG S3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ra

 8.3. Size:849K  cn vbsemi
 nds352ap.pdf

NDS352P NDS352P

NDS352APwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-23

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SRT10N070HD | SQJB80EP

 

 
Back to Top