NDUL03N150CG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDUL03N150CG
   Código: 03N150C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PF

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NDUL03N150CG Datasheet (PDF)

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ndul03n150c ndul03n150cg.pdf

Ordering number : ENA2218NDUL03N150CN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com1500V, 2.5A, 10.5 , TO-3PF-3LFeatures ON-resistance RDS(on)=8 (typ.) Input capacitance Ciss=650pF (typ.) 10V driveTO-3PF-3LSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 1500 VGate to Source Voltage VGSS

3.1. Size:262K onsemi
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ndul09n150c ndul09n150cg.pdf

NDUL09N150C Power MOSFET www.onsemi.com 1500V, 3.0, 9A, N-Channel Features Electrical Connection Low On-Resistance High Speed Switching N-Channel Ultra High Voltage 100% Avalanche Tested Pb-Free and RoHS Compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 1500 VGate to Source

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: