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NID9N05ACLT4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NID9N05ACLT4G
   Código: 05ACL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 52 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.181 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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NID9N05ACLT4G Datasheet (PDF)

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NID9N05ACLT4G

NID9N05CL, NID9N05ACLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection -

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NID9N05ACL, NID9N05BCLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagewww.onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection - HB

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NID9N05CL, NID9N05ACLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection -

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NID9N05CLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection - HBM 5000 V

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History: IRLU8256 | RU30E4B

 

 
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