NILMS4501NR2 Todos los transistores

 

NILMS4501NR2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NILMS4501NR2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 870 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLLP4
 

 Búsqueda de reemplazo de NILMS4501NR2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NILMS4501NR2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  onsemi
 nilms4501n nilms4501nr2 nilms4501nr2g.pdf pdf_icon

NILMS4501NR2

NILMS4501NPower MOSFET withCurrent Mirror FET24 V, 9.5 A, N-Channel, ESD Protected,1:250 Current Mirror, SO-8 Leadlesshttp://onsemi.comN-Channel MOSFET with 1:250 current mirror device utilizing thelatest ON Semiconductor technology to achieve low figure of meritVDSS RDS(on) Typ ID MAXwhile keeping a high accuracy in the linear region. This device takes24 V 12 mW @ 4.5 V 9.5

Otros transistores... NDTL03N150C , NDTL03N150CG , NDUL03N150C , NDUL03N150CG , NDUL09N150C , NDUL09N150CG , NID9N05ACLT4G , NID9N05CLT4G , IRF540 , NILMS4501NR2G , NMSD200B01-7 , NP100N04MDH , NP100N04MUH , NP100N04NDH , NP100N04NUH , NP100N04NUJ , NP100N04PDH .

 

 
Back to Top

 


 
.