NILMS4501NR2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NILMS4501NR2
   Código: 4501N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 870 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLLP4

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NILMS4501NR2 Datasheet (PDF)

..1. Size:90K onsemi
nilms4501n nilms4501nr2 nilms4501nr2g.pdf

NILMS4501NPower MOSFET withCurrent Mirror FET24 V, 9.5 A, N-Channel, ESD Protected,1:250 Current Mirror, SO-8 Leadlesshttp://onsemi.comN-Channel MOSFET with 1:250 current mirror device utilizing thelatest ON Semiconductor technology to achieve low figure of meritVDSS RDS(on) Typ ID MAXwhile keeping a high accuracy in the linear region. This device takes24 V 12 mW @ 4.5 V 9.5

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Liste

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