Справочник MOSFET. NILMS4501NR2

 

NILMS4501NR2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NILMS4501NR2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: PLLP4
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NILMS4501NR2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  onsemi
 nilms4501n nilms4501nr2 nilms4501nr2g.pdf pdf_icon

NILMS4501NR2

NILMS4501NPower MOSFET withCurrent Mirror FET24 V, 9.5 A, N-Channel, ESD Protected,1:250 Current Mirror, SO-8 Leadlesshttp://onsemi.comN-Channel MOSFET with 1:250 current mirror device utilizing thelatest ON Semiconductor technology to achieve low figure of meritVDSS RDS(on) Typ ID MAXwhile keeping a high accuracy in the linear region. This device takes24 V 12 mW @ 4.5 V 9.5

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STF2454A

 

 
Back to Top

 


 
.