NMSD200B01-7 Todos los transistores

 

NMSD200B01-7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NMSD200B01-7
   Código: SR1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
     - Selección de transistores por parámetros

 

NMSD200B01-7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  diodes
 nmsd200b01-7.pdf pdf_icon

NMSD200B01-7

NMSD200B01 200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE Please click here to visit our online spice models database.General Description NMSD200B01 is best suited for switching voltage regulator and power management applications. It 6improves efficiency and reliability of DC-DC controllers 5used in Voltage Regulator Modules (VRM) and can 4support c

 4.1. Size:216K  diodes
 nmsd200b01.pdf pdf_icon

NMSD200B01-7

NMSD200B01 200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE Please click here to visit our online spice models database.General Description NMSD200B01 is best suited for switching voltage regulator and power management applications. It 6improves efficiency and reliability of DC-DC controllers 5used in Voltage Regulator Modules (VRM) and can 4support c

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History: AFN3416

 

 
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