NMSD200B01-7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NMSD200B01-7
Código: SR1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NMSD200B01-7
NMSD200B01-7 Datasheet (PDF)
nmsd200b01-7.pdf
NMSD200B01 200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE Please click here to visit our online spice models database.General Description NMSD200B01 is best suited for switching voltage regulator and power management applications. It 6improves efficiency and reliability of DC-DC controllers 5used in Voltage Regulator Modules (VRM) and can 4support c
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