NMSD200B01-7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NMSD200B01-7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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NMSD200B01-7 datasheet

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NMSD200B01-7

NMSD200B01 200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE Please click here to visit our online spice models database. General Description NMSD200B01 is best suited for switching voltage regulator and power management applications. It 6 improves efficiency and reliability of DC-DC controllers 5 used in Voltage Regulator Modules (VRM) and can 4 support c

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NMSD200B01-7

NMSD200B01 200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE Please click here to visit our online spice models database. General Description NMSD200B01 is best suited for switching voltage regulator and power management applications. It 6 improves efficiency and reliability of DC-DC controllers 5 used in Voltage Regulator Modules (VRM) and can 4 support c

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