Справочник MOSFET. NMSD200B01-7

 

NMSD200B01-7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NMSD200B01-7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для NMSD200B01-7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NMSD200B01-7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  diodes
 nmsd200b01-7.pdf pdf_icon

NMSD200B01-7

NMSD200B01 200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE Please click here to visit our online spice models database.General Description NMSD200B01 is best suited for switching voltage regulator and power management applications. It 6improves efficiency and reliability of DC-DC controllers 5used in Voltage Regulator Modules (VRM) and can 4support c

 4.1. Size:216K  diodes
 nmsd200b01.pdf pdf_icon

NMSD200B01-7

NMSD200B01 200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE Please click here to visit our online spice models database.General Description NMSD200B01 is best suited for switching voltage regulator and power management applications. It 6improves efficiency and reliability of DC-DC controllers 5used in Voltage Regulator Modules (VRM) and can 4support c

Другие MOSFET... NDUL03N150C , NDUL03N150CG , NDUL09N150C , NDUL09N150CG , NID9N05ACLT4G , NID9N05CLT4G , NILMS4501NR2 , NILMS4501NR2G , IRF640 , NP100N04MDH , NP100N04MUH , NP100N04NDH , NP100N04NUH , NP100N04NUJ , NP100N04PDH , NP100N04PUH , NP100N04PUK .

History: FDMS86540 | WNM2046B | WMN10N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.