NMSD200B01-7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NMSD200B01-7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для NMSD200B01-7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NMSD200B01-7 даташит

 ..1. Size:213K  diodes
 nmsd200b01-7.pdf pdf_icon

NMSD200B01-7

NMSD200B01 200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE Please click here to visit our online spice models database. General Description NMSD200B01 is best suited for switching voltage regulator and power management applications. It 6 improves efficiency and reliability of DC-DC controllers 5 used in Voltage Regulator Modules (VRM) and can 4 support c

 4.1. Size:216K  diodes
 nmsd200b01.pdf pdf_icon

NMSD200B01-7

NMSD200B01 200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE Please click here to visit our online spice models database. General Description NMSD200B01 is best suited for switching voltage regulator and power management applications. It 6 improves efficiency and reliability of DC-DC controllers 5 used in Voltage Regulator Modules (VRM) and can 4 support c

Другие IGBT... NDUL03N150C, NDUL03N150CG, NDUL09N150C, NDUL09N150CG, NID9N05ACLT4G, NID9N05CLT4G, NILMS4501NR2, NILMS4501NR2G, IRFP460, NP100N04MDH, NP100N04MUH, NP100N04NDH, NP100N04NUH, NP100N04NUJ, NP100N04PDH, NP100N04PUH, NP100N04PUK