NP100N04NUJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NP100N04NUJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NP100N04NUJ

NP100N04NUJ Datasheet (PDF)

..1. Size:216K renesas
np100n04nuj.pdf

Preliminary Data Sheet NP100N04NUJ R07DS0364EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jun 13, 2011Description The NP100N04NUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 3.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) Low Ciss: Ciss = 5600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) H

4.1. Size:353K renesas
np100n04muh np100n04nuh np100n04puh.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

5.1. Size:355K renesas
np100n04mdh np100n04ndh np100n04pdh.pdf

6.1. Size:224K renesas
np100n04puk.pdf

Preliminary Data Sheet NP100N04PUK R07DS0545EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Sep 23, 2011Description The NP100N04PUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 m MAX. ( VGS = 10 V, ID = 50 A ) Low Ciss: Ciss = 4700 pF TYP. ( VDS = 25 V ) Designed for

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: