NP20P06YLG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NP20P06YLG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSON

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NP20P06YLG

NP20P06YLG Datasheet (PDF)

..1. Size:118K renesas
np20p06ylg.pdf

Preliminary Data Sheet NP20P06YLG R07DS0706EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Apr 17, 2012Description The NP20P06YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 47 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A) RDS(on) = 64 m MAX. (VGS = 5 V, ID = 10 A) RDS(on) = 70 m

7.1. Size:300K renesas
np20p06slg.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

8.1. Size:300K renesas
np20p04slg.pdf

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: