NP28N10SDE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NP28N10SDE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: TO-252

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NP28N10SDE datasheet

 ..1. Size:248K  renesas
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NP28N10SDE

Preliminary Data Sheet R07DS0507EJ0100 NP28N10SDE Rev.1.00 Sep 16, 2011 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP28N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on)1 = 52 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A) RDS(on)2 = 59 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 14 A) Low Ciss Ciss = 2200

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NP28N10SDE

VNP28N04 "OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET TYPE V R I clamp DS(on) lim VNP28N04 42 V 0.035 28 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT 3 2 PIN 1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE TO-220 POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

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NP28N10SDE

VNP28N04FI VNB28N04/VNV28N04 OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET TYPE V R I clamp DS(on) lim VNP28N04FI 42 V 0.035 28 A VNB28N04 42 V 0.035 28 A VNV28N04 42 V 0.035 28 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN ISOWATT220 3 SHORT CIRCUIT PROTECTION 2 INTEGRATED CLAMP 1 LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT PI

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NP28N10SDE

VNP28N04 "OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET TYPE V R I clamp DS(on) lim VNP28N04 42 V 0.035 28 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT 3 2 PIN 1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE TO-220 POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

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