NP28N10SDE Todos los transistores

 

NP28N10SDE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NP28N10SDE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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NP28N10SDE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  renesas
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NP28N10SDE
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Preliminary Data Sheet R07DS0507EJ0100NP28N10SDE Rev.1.00Sep 16, 2011MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP28N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on)1 = 52 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A) RDS(on)2 = 59 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 14 A) Low Ciss: Ciss = 2200

 9.1. Size:280K  st
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NP28N10SDE
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VNP28N04"OMNIFET":FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETTYPE V R Iclamp DS(on) limVNP28N04 42 V 0.035 28 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT32PIN1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THETO-220POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

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vnp28n04fi vnb28n04 vnv28n04.pdf

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VNP28N04FIVNB28N04/VNV28N04 OMNIFET:FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETTYPE V R Iclamp DS(on) limVNP28N04FI 42 V 0.035 28 AVNB28N04 42 V 0.035 28 AVNV28N04 42 V 0.035 28 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWNISOWATT2203 SHORT CIRCUIT PROTECTION2 INTEGRATED CLAMP1 LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUTPI

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VNP28N04"OMNIFET":FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETTYPE V R Iclamp DS(on) limVNP28N04 42 V 0.035 28 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT32PIN1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THETO-220POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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