NP28N10SDE datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NP28N10SDE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для NP28N10SDE
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NP28N10SDE даташит
np28n10sde.pdf
Preliminary Data Sheet R07DS0507EJ0100 NP28N10SDE Rev.1.00 Sep 16, 2011 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP28N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on)1 = 52 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A) RDS(on)2 = 59 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 14 A) Low Ciss Ciss = 2200
vnp28n04 2.pdf
VNP28N04 "OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET TYPE V R I clamp DS(on) lim VNP28N04 42 V 0.035 28 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT 3 2 PIN 1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE TO-220 POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE
vnp28n04fi vnb28n04 vnv28n04.pdf
VNP28N04FI VNB28N04/VNV28N04 OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET TYPE V R I clamp DS(on) lim VNP28N04FI 42 V 0.035 28 A VNB28N04 42 V 0.035 28 A VNV28N04 42 V 0.035 28 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN ISOWATT220 3 SHORT CIRCUIT PROTECTION 2 INTEGRATED CLAMP 1 LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT PI
vnp28n04.pdf
VNP28N04 "OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET TYPE V R I clamp DS(on) lim VNP28N04 42 V 0.035 28 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT 3 2 PIN 1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE TO-220 POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE
Другие IGBT... NP20P06YLG, NP22N055HHE, NP22N055HLE, NP22N055IHE, NP22N055ILE, NP22N055SHE, NP22N055SLE, NP23N06YDG, 18N50, NP30N04QUK, NP32N055HDE, NP32N055HHE, NP32N055HLE, NP32N055IDE, NP32N055IHE, NP32N055ILE, NP32N055SDE
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont




