NP33N075YDF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NP33N075YDF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 92 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSON

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NP33N075YDF Datasheet (PDF)

..1. Size:224K renesas
np33n075ydf.pdf

Preliminary Data Sheet NP33N075YDF R07DS0363EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jun 30, 2011Description The NP33N075YDF is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 28 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17 A) Low Ciss: Ciss = 1300 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

8.1. Size:222K renesas
np33n06ydg.pdf

Preliminary Data Sheet NP33N06YDG R07DS0015EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP33N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 14 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 16.5 A) Low Ciss: Ciss = 2600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

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Liste

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