NP33N075YDF Todos los transistores

 

NP33N075YDF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NP33N075YDF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 92 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSON
 

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NP33N075YDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  renesas
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NP33N075YDF

Preliminary Data Sheet NP33N075YDF R07DS0363EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jun 30, 2011Description The NP33N075YDF is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 28 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17 A) Low Ciss: Ciss = 1300 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

 8.1. Size:222K  renesas
 np33n06ydg.pdf pdf_icon

NP33N075YDF

Preliminary Data Sheet NP33N06YDG R07DS0015EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP33N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 14 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 16.5 A) Low Ciss: Ciss = 2600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

Otros transistores... NP32N055HLE , NP32N055IDE , NP32N055IHE , NP32N055ILE , NP32N055SDE , NP32N055SHE , NP32N055SLE , NP33N06YDG , IRFZ48N , NP34N055HHE , NP34N055HLE , NP34N055IHE , NP34N055ILE , NP34N055SHE , NP34N055SLE , NP35N04YLG , NP35N04YUG .

History: IRLSL4030PBF | NP110N03PUG | FDB8878 | TK8R2A06PL

 

 
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