Справочник MOSFET. NP33N075YDF

 

NP33N075YDF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NP33N075YDF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: HSON

 Аналог (замена) для NP33N075YDF

 

 

NP33N075YDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  renesas
 np33n075ydf.pdf

NP33N075YDF NP33N075YDF

Preliminary Data Sheet NP33N075YDF R07DS0363EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jun 30, 2011Description The NP33N075YDF is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 28 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17 A) Low Ciss: Ciss = 1300 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

 8.1. Size:222K  renesas
 np33n06ydg.pdf

NP33N075YDF NP33N075YDF

Preliminary Data Sheet NP33N06YDG R07DS0015EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP33N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 14 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 16.5 A) Low Ciss: Ciss = 2600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPP65R660CFDA

 

 
Back to Top