NP33N075YDF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NP33N075YDF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: HSON

Аналог (замена) для NP33N075YDF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP33N075YDF даташит

 ..1. Size:224K  renesas
 np33n075ydf.pdf pdf_icon

NP33N075YDF

Preliminary Data Sheet NP33N075YDF R07DS0363EJ0100 Rev.1.00 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jun 30, 2011 Description The NP33N075YDF is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 28 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17 A) Low Ciss Ciss = 1300 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

 8.1. Size:222K  renesas
 np33n06ydg.pdf pdf_icon

NP33N075YDF

Preliminary Data Sheet NP33N06YDG R07DS0015EJ0100 Rev.1.00 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010 Description The NP33N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 14 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 16.5 A) Low Ciss Ciss = 2600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

Другие IGBT... NP32N055HLE, NP32N055IDE, NP32N055IHE, NP32N055ILE, NP32N055SDE, NP32N055SHE, NP32N055SLE, NP33N06YDG, STP65NF06, NP34N055HHE, NP34N055HLE, NP34N055IHE, NP34N055ILE, NP34N055SHE, NP34N055SLE, NP35N04YLG, NP35N04YUG