NP35N04YLG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NP35N04YLG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0097 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSON

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NP35N04YLG

NP35N04YLG Datasheet (PDF)

..1. Size:207K renesas
np35n04ylg.pdf

Preliminary Data Sheet R07DS0182EJ0100NP35N04YLG Rev.1.00Oct 22, 2010MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP35N04YLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 9.7 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) RDS(on) = 15 m MAX. (VGS = 5 V, ID = 17.5 A) Logic level

6.1. Size:222K renesas
np35n04yug.pdf

Preliminary Data Sheet NP35N04YUG R07DS0016EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP35N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 10 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) Low Ciss: Ciss = 1900 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designed

8.1. Size:279K st
vnp35n07.pdf

VNP35N07"OMNIFET":FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETTYPE V R Iclamp DS(on) limVNP35N07 70 V 0.028 35 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT32PIN1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THETO-220POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

8.2. Size:280K st
vnp35n07 2.pdf

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np35n055yuk.pdf

Preliminary Data Sheet NP35N055YUK R07DS1002EJ010055 V 35 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00Application: Automotive Feb 08, 2013Description The NP35N055YUK is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 6.7 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A) Non logic level drive t

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Liste

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