NP35N04YLG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NP35N04YLG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0097 Ohm

Encapsulados: HSON

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NP35N04YLG datasheet

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NP35N04YLG

Preliminary Data Sheet R07DS0182EJ0100 NP35N04YLG Rev.1.00 Oct 22, 2010 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP35N04YLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 9.7 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) RDS(on) = 15 m MAX. (VGS = 5 V, ID = 17.5 A) Logic level

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NP35N04YLG

Preliminary Data Sheet NP35N04YUG R07DS0016EJ0100 Rev.1.00 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010 Description The NP35N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 10 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) Low Ciss Ciss = 1900 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designed

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NP35N04YLG

VNP35N07 "OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET TYPE V R I clamp DS(on) lim VNP35N07 70 V 0.028 35 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT 3 2 PIN 1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE TO-220 POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

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NP35N04YLG

VNP35N07 "OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET TYPE V R I clamp DS(on) lim VNP35N07 70 V 0.028 35 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT 3 2 PIN 1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE TO-220 POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

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