IXFP8N85X Todos los transistores

 

IXFP8N85X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFP8N85X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 850 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 714 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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IXFP8N85X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  ixys
ixfa8n85xhv ixfp8n85x ixfq8n85x.pdf pdf_icon

IXFP8N85X

PreliminaryTechnical InformationX-Class HiPERFET VDSS = 850VIXFA8N85XHVPower MOSFET ID25 = 8AIXFP8N85X RDS(on) 850m IXFQ8N85XN-Channel Enhancement ModeTO-263HV (IXFA)GSD (Tab)TO-220 (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 850 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VVGSS Continuous

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ixfp8n50pm.pdf pdf_icon

IXFP8N85X

Preliminary Technical InformationIXFP 8N50PM VDSS = 500 VPolarHVTMHiPerFETID25 = 4.4 APower MOSFET RDS(on) 0.8 (Electrically Isolated Tab)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeOVERMOLDED TO-220Symbol Test Conditions Maximum Ratings(IXTP...M) OUTLINEVDSS TJ = 25 C to

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ixfa8n50p3 ixfp8n50p3.pdf pdf_icon

IXFP8N85X

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFA8N50P3Power MOSFETs ID25 = 8AIXFP8N50P3 RDS(on) 800m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

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ixfa80n25x3 ixfp80n25x3 ixfq80n25x3 ixfh80n25x3.pdf pdf_icon

IXFP8N85X

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 250VIXFA80N25X3Power MOSFET ID25 = 80AIXFP80N25X3 RDS(on) 16m IXFQ80N25X3TO-263 AA (IXFA)IXFH80N25X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGSFast Intrinsic DiodeD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25 C to 150 C250D S D (Tab)VTO-3P (IXFQ)VDGR

Otros transistores... NP60N04MUK , NP60N04NUK , IRL60SL216 , IXFA56N30X3 , IXFP56N30X3 , IXFA12N65X2 , IXFH12N65X2 , IXFA8N85XHV , P60NF06 , IXFA36N20X3 , IXFP36N20X3 , IXTP12N70X2 , VN1204N5 , VN1210N5 , VN1204N1 , VN1206N1 , VN1210N1 .

History: RU40C20M3 | IRF7343PBF | MTB23P06VT4 | SPB80N06S2L-07 | STB18N55M5 | IPI50N12S3L-15 | MTD20N03HDLT4G

 

 
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