IXFP8N85X MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFP8N85X

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 850 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 714 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO-220

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IXFP8N85X datasheet

 ..1. Size:368K  ixys
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IXFP8N85X

PreliminaryTechnical Information X-Class HiPERFET VDSS = 850V IXFA8N85XHV Power MOSFET ID25 = 8A IXFP8N85X RDS(on) 850m IXFQ8N85X N-Channel Enhancement Mode TO-263HV (IXFA) G S D (Tab) TO-220 (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V VGSS Continuous

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IXFP8N85X

Preliminary Technical Information IXFP 8N50PM VDSS = 500 V PolarHVTMHiPerFET ID25 = 4.4 A Power MOSFET RDS(on) 0.8 (Electrically Isolated Tab) trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode OVERMOLDED TO-220 Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXTP...M) OUTLINE VDSS TJ = 25 C to

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IXFP8N85X

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFA8N50P3 Power MOSFETs ID25 = 8A IXFP8N50P3 RDS(on) 800m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V TO-220AB (IXFP) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

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 ixfa80n25x3 ixfp80n25x3 ixfq80n25x3 ixfh80n25x3.pdf pdf_icon

IXFP8N85X

Preliminary Technical Information X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250V IXFA80N25X3 Power MOSFET ID25 = 80A IXFP80N25X3 RDS(on) 16m IXFQ80N25X3 TO-263 AA (IXFA) IXFH80N25X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G S Fast Intrinsic Diode D (Tab) TO-220AB (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C250D S D (Tab) V TO-3P (IXFQ) VDGR

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