Справочник MOSFET. IXFP8N85X

 

IXFP8N85X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFP8N85X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 850 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 714 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для IXFP8N85X

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP8N85X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  ixys
ixfa8n85xhv ixfp8n85x ixfq8n85x.pdfpdf_icon

IXFP8N85X

PreliminaryTechnical InformationX-Class HiPERFET VDSS = 850VIXFA8N85XHVPower MOSFET ID25 = 8AIXFP8N85X RDS(on) 850m IXFQ8N85XN-Channel Enhancement ModeTO-263HV (IXFA)GSD (Tab)TO-220 (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 850 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VVGSS Continuous

 8.1. Size:106K  ixys
ixfp8n50pm.pdfpdf_icon

IXFP8N85X

Preliminary Technical InformationIXFP 8N50PM VDSS = 500 VPolarHVTMHiPerFETID25 = 4.4 APower MOSFET RDS(on) 0.8 (Electrically Isolated Tab)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeOVERMOLDED TO-220Symbol Test Conditions Maximum Ratings(IXTP...M) OUTLINEVDSS TJ = 25 C to

 8.2. Size:160K  ixys
ixfa8n50p3 ixfp8n50p3.pdfpdf_icon

IXFP8N85X

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFA8N50P3Power MOSFETs ID25 = 8AIXFP8N50P3 RDS(on) 800m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 9.1. Size:245K  ixys
ixfa80n25x3 ixfp80n25x3 ixfq80n25x3 ixfh80n25x3.pdfpdf_icon

IXFP8N85X

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 250VIXFA80N25X3Power MOSFET ID25 = 80AIXFP80N25X3 RDS(on) 16m IXFQ80N25X3TO-263 AA (IXFA)IXFH80N25X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGSFast Intrinsic DiodeD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25 C to 150 C250D S D (Tab)VTO-3P (IXFQ)VDGR

Другие MOSFET... NP60N04MUK , NP60N04NUK , IRL60SL216 , IXFA56N30X3 , IXFP56N30X3 , IXFA12N65X2 , IXFH12N65X2 , IXFA8N85XHV , P60NF06 , IXFA36N20X3 , IXFP36N20X3 , IXTP12N70X2 , VN1204N5 , VN1210N5 , VN1204N1 , VN1206N1 , VN1210N1 .

History: SI4953ADY-T1-E3 | SSM9575 | IRF830SPBF | SWD062R68E7T | IXFH56N30X3 | IRF5850 | SSF22A5E

 

 
Back to Top

 


 
.