NP74N04YUG Todos los transistores

 

NP74N04YUG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NP74N04YUG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSON
 

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NP74N04YUG Datasheet (PDF)

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NP74N04YUG

Preliminary Data Sheet NP74N04YUG R07DS0017EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP74N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 5.5 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 37.5 A) Low Ciss: Ciss = 3620 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designe

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History: APM2055NU | OSG55R190PF | SSI60R260S2 | IRFR9024NTRPBF | NTPF360N80S3Z | RU40L60L

 

 
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