NP74N04YUG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NP74N04YUG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 64 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: HSON
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NP74N04YUG
NP74N04YUG Datasheet (PDF)
np74n04yug.pdf
Preliminary Data Sheet NP74N04YUG R07DS0017EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP74N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 5.5 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 37.5 A) Low Ciss: Ciss = 3620 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designe
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History: BUK7Y98-80E
History: BUK7Y98-80E
Liste
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