NP74N04YUG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NP74N04YUG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: HSON

Аналог (замена) для NP74N04YUG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP74N04YUG даташит

 ..1. Size:221K  renesas
 np74n04yug.pdf pdf_icon

NP74N04YUG

Preliminary Data Sheet NP74N04YUG R07DS0017EJ0100 Rev.1.00 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010 Description The NP74N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 5.5 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 37.5 A) Low Ciss Ciss = 3620 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designe

Другие IGBT... NP60N04VDK, NP60N04VUK, NP60N055KUG, NP60N055MUK, NP60N055NUK, NP60N055VUK, NP70N04MUG, NP70N10KUF, 75N75, NP75N04VDK, NP75N04VUK, NP75N04YUG, NP75N04YUK, NP75N055YUK, NP75P03YDG, NP75P04YLG, NP80N03CDE