NP75P03YDG Todos los transistores

 

NP75P03YDG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NP75P03YDG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSON
 

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NP75P03YDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  renesas
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NP75P03YDG

Preliminary Data Sheet NP75P03YDG R07DS0020EJ0200Rev.2.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Mar 16, 2011Description The NP75P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 6.2 m MAX. (VGS = -10 V, ID = -37.5 A) Low Ciss: Ciss = 3200 pF TYP. (VDS = -25 V, VGS = 0 V) Logi

 8.1. Size:236K  renesas
 np75p04ylg.pdf pdf_icon

NP75P03YDG

Preliminary Data Sheet R07DS0183EJ0200NP75P04YLG Rev.2.00Mar 16, 2011MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP75P04YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 9.7 m MAX. (VGS = -10 V, ID = -37.5 A) RDS(on) = 14 m MAX. (VGS = -5 V, ID = -37.5 A) Logic le

Otros transistores... NP70N04MUG , NP70N10KUF , NP74N04YUG , NP75N04VDK , NP75N04VUK , NP75N04YUG , NP75N04YUK , NP75N055YUK , 60N06 , NP75P04YLG , NP80N03CDE , NP80N03CLE , NP80N03DDE , NP80N03DLE , NP80N03EDE , NP80N03ELE , NP80N03KDE .

History: IXTH360N055T2 | IXFT44N50P | IXTH130N20T | IPP037N08N3G | IXFR36N60P | 6N80G-TA3-T | IXFT42N50P2

 

 
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