Справочник MOSFET. NP75P03YDG

 

NP75P03YDG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NP75P03YDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: HSON
 

 Аналог (замена) для NP75P03YDG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP75P03YDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  renesas
 np75p03ydg.pdf pdf_icon

NP75P03YDG

Preliminary Data Sheet NP75P03YDG R07DS0020EJ0200Rev.2.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Mar 16, 2011Description The NP75P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 6.2 m MAX. (VGS = -10 V, ID = -37.5 A) Low Ciss: Ciss = 3200 pF TYP. (VDS = -25 V, VGS = 0 V) Logi

 8.1. Size:236K  renesas
 np75p04ylg.pdf pdf_icon

NP75P03YDG

Preliminary Data Sheet R07DS0183EJ0200NP75P04YLG Rev.2.00Mar 16, 2011MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP75P04YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 9.7 m MAX. (VGS = -10 V, ID = -37.5 A) RDS(on) = 14 m MAX. (VGS = -5 V, ID = -37.5 A) Logic le

Другие MOSFET... NP70N04MUG , NP70N10KUF , NP74N04YUG , NP75N04VDK , NP75N04VUK , NP75N04YUG , NP75N04YUK , NP75N055YUK , RU7088R , NP75P04YLG , NP80N03CDE , NP80N03CLE , NP80N03DDE , NP80N03DLE , NP80N03EDE , NP80N03ELE , NP80N03KDE .

History: IRLR3410TR | STW28N60DM2

 

 
Back to Top

 


 
.