Справочник MOSFET. NP75P03YDG

 

NP75P03YDG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NP75P03YDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 94 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: HSON

 Аналог (замена) для NP75P03YDG

 

 

NP75P03YDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  renesas
 np75p03ydg.pdf

NP75P03YDG NP75P03YDG

Preliminary Data Sheet NP75P03YDG R07DS0020EJ0200Rev.2.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Mar 16, 2011Description The NP75P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 6.2 m MAX. (VGS = -10 V, ID = -37.5 A) Low Ciss: Ciss = 3200 pF TYP. (VDS = -25 V, VGS = 0 V) Logi

 8.1. Size:236K  renesas
 np75p04ylg.pdf

NP75P03YDG NP75P03YDG

Preliminary Data Sheet R07DS0183EJ0200NP75P04YLG Rev.2.00Mar 16, 2011MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP75P04YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 9.7 m MAX. (VGS = -10 V, ID = -37.5 A) RDS(on) = 14 m MAX. (VGS = -5 V, ID = -37.5 A) Logic le

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HPP080NE5SPA | 2SK2470-01MR

 

 
Back to Top