NP75P04YLG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NP75P04YLG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0097 Ohm

Encapsulados: HSON

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NP75P04YLG datasheet

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NP75P04YLG

Preliminary Data Sheet R07DS0183EJ0200 NP75P04YLG Rev.2.00 Mar 16, 2011 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP75P04YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 9.7 m MAX. (VGS = -10 V, ID = -37.5 A) RDS(on) = 14 m MAX. (VGS = -5 V, ID = -37.5 A) Logic le

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NP75P04YLG

Preliminary Data Sheet NP75P03YDG R07DS0020EJ0200 Rev.2.00 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Mar 16, 2011 Description The NP75P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 6.2 m MAX. (VGS = -10 V, ID = -37.5 A) Low Ciss Ciss = 3200 pF TYP. (VDS = -25 V, VGS = 0 V) Logi

Otros transistores... NP70N10KUF, NP74N04YUG, NP75N04VDK, NP75N04VUK, NP75N04YUG, NP75N04YUK, NP75N055YUK, NP75P03YDG, IRFZ46N, NP80N03CDE, NP80N03CLE, NP80N03DDE, NP80N03DLE, NP80N03EDE, NP80N03ELE, NP80N03KDE, NP80N03KLE