NP75P04YLG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NP75P04YLG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm

Тип корпуса: HSON

Аналог (замена) для NP75P04YLG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP75P04YLG даташит

 ..1. Size:236K  renesas
 np75p04ylg.pdf pdf_icon

NP75P04YLG

Preliminary Data Sheet R07DS0183EJ0200 NP75P04YLG Rev.2.00 Mar 16, 2011 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP75P04YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 9.7 m MAX. (VGS = -10 V, ID = -37.5 A) RDS(on) = 14 m MAX. (VGS = -5 V, ID = -37.5 A) Logic le

 8.1. Size:226K  renesas
 np75p03ydg.pdf pdf_icon

NP75P04YLG

Preliminary Data Sheet NP75P03YDG R07DS0020EJ0200 Rev.2.00 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Mar 16, 2011 Description The NP75P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 6.2 m MAX. (VGS = -10 V, ID = -37.5 A) Low Ciss Ciss = 3200 pF TYP. (VDS = -25 V, VGS = 0 V) Logi

Другие IGBT... NP70N10KUF, NP74N04YUG, NP75N04VDK, NP75N04VUK, NP75N04YUG, NP75N04YUK, NP75N055YUK, NP75P03YDG, IRFZ46N, NP80N03CDE, NP80N03CLE, NP80N03DDE, NP80N03DLE, NP80N03EDE, NP80N03ELE, NP80N03KDE, NP80N03KLE