NTHL082N65S3F Todos los transistores

 

NTHL082N65S3F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTHL082N65S3F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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NTHL082N65S3F datasheet

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NTHL082N65S3F

www.onsemi.com NTHL082N65S3F N-Channel SuperFET III FRFET MOSFET 650 V, 40 A, 82 m Features Description 700 V @ TJ = 150 oC SuperFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 70 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 81 nC)... See More ⇒

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MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 80 mW, 31 A NTHL080N120SC1 Features Typ. RDS(on) = 80 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 56 nC) Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 80 pF) 100% UIL Tested V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are RoHS Compliant 1200 V 110 mW @ 20 V 31 A Typical Applications UPS N-CHANNEL MOSFET... See More ⇒

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NTHL082N65S3F

MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 80 mW, 31 A NTHL080N120SC1A Features Typ. RDS(on) = 80 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 56 nC) Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 80 pF) 100% UIL Tested V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are RoHS Compliant 1200 V 110 mW @ 20 V 31 A Typical Applications UPS N-CHANNEL MOSFE... See More ⇒

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NTHL082N65S3F

NTHL095N65S3HF MOSFET Power, N Channel, SUPERFET III, FRFET www.onsemi.com 650 V, 36 A, 95 mW Description VDSS RDS(ON) MAX ID MAX SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge 650 V 95 mW @ 10 V 36 A balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanc... See More ⇒

Otros transistores... NP90N055NUK , NP90N055PDH , NP90N055PUH , NP90N055VDG , NP90N055VUG , NP90N055VUK , NP90N06VLG , NSVJ3557SA3 , CS150N03A8 , SWI069R10VS , SWD069R10VS , SWP069R10VS , IPP050N06NG , IPI05CNE8NG , IPP054NE8NG , IPI06CN10NG , IPI08CNE8NG .

 

 
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