TP3443PR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TP3443PR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de TP3443PR MOSFET
TP3443PR Datasheet (PDF)
tp3443pr.pdf

TP3443PR P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES ADVANCED TRENCH PROCESS TECHNOLOGY HIGH DENSITY CELL DESIGN FOR ULTRA LOW ON-RESISTANCE FULLY CHARACTERIZED AVALANCHE VOLTAGE AND CURRENT IMPROVED SHOOT-THROUGH FOM BOTH NORMAL AND PB FREE PRODUCT ARE AVAILABLE :NORMAL : 80~95% SN, 5~20% PB PB FREE: 99% SN ABOVE PLASTIC MATERIA
Otros transistores... IPD12CNE8NG , IPI12CNE8NG , IPP12CNE8NG , IPI45N04S4L-08 , IPP45N04S4L-08 , TP2301PR , TP2302NR , TP2305PR , 2N60 , TP4812NR , TP9435PR , 4N60CB , AON6786 , AON6790 , AP9918H , AP9918J , CEB7030L .
History: HRD13N10K | NCE8580



Liste
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