TP3443PR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TP3443PR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de TP3443PR MOSFET
TP3443PR Datasheet (PDF)
tp3443pr.pdf

TP3443PR P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES ADVANCED TRENCH PROCESS TECHNOLOGY HIGH DENSITY CELL DESIGN FOR ULTRA LOW ON-RESISTANCE FULLY CHARACTERIZED AVALANCHE VOLTAGE AND CURRENT IMPROVED SHOOT-THROUGH FOM BOTH NORMAL AND PB FREE PRODUCT ARE AVAILABLE :NORMAL : 80~95% SN, 5~20% PB PB FREE: 99% SN ABOVE PLASTIC MATERIA
Otros transistores... IPD12CNE8NG , IPI12CNE8NG , IPP12CNE8NG , IPI45N04S4L-08 , IPP45N04S4L-08 , TP2301PR , TP2302NR , TP2305PR , 2N60 , TP4812NR , TP9435PR , 4N60CB , AON6786 , AON6790 , AP9918H , AP9918J , CEB7030L .
History: IRF7749L1 | AOTF286L | VBA2317 | TPCF8402 | IPB80N08S2-07 | 2SJ603-S | 2SK2593
History: IRF7749L1 | AOTF286L | VBA2317 | TPCF8402 | IPB80N08S2-07 | 2SJ603-S | 2SK2593



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor