DMK10N60 Todos los transistores

 

DMK10N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMK10N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

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DMK10N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2253K  1
dmt10n60 dmf10n60 dmk10n60 dmg10n60.pdf pdf_icon

DMK10N60

12N60 600V N-Channel Power MOSFET RDS(ON)

Otros transistores... AON6790 , AP9918H , AP9918J , CEB7030L , CEP7030L , CSD30N55 , DMT10N60 , DMF10N60 , MMIS60R580P , DMG10N60 , H06N60U , JCS4N60VB , JCS4N60RB , JCS4N60BB , JCS4N60CB , JCS4N60FB , LD1014D .

History: HRD13N10K | NCE8580

 

 
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