DMK10N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMK10N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-262
Búsqueda de reemplazo de DMK10N60 MOSFET
DMK10N60 Datasheet (PDF)
Otros transistores... AON6790 , AP9918H , AP9918J , CEB7030L , CEP7030L , CSD30N55 , DMT10N60 , DMF10N60 , 7N60 , DMG10N60 , H06N60U , JCS4N60VB , JCS4N60RB , JCS4N60BB , JCS4N60CB , JCS4N60FB , LD1014D .
History: 8680A | SWF20N60K
Liste
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