SWD5N65K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD5N65K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
Encapsulados: TO-252
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SWD5N65K datasheet
swd5n65k.pdf
SW5N65K N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 650V ID 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8 )@VGS=10V RDS(ON) 0.8 Low Gate Charge (Typ 10.3nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application LED, Charge, Adaptor 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSFE
swd5n65k.pdf
SW5N65K N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 650V ID 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8 )@VGS=10V RDS(ON) 0.8 Low Gate Charge (Typ 10.3nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application LED, Charger, Adaptor 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSF
Otros transistores... NDF08N60ZG , NDP08N60ZG , PTF10149 , RJK0234DNS , SPP100N06S2-05 , SPB100N06S2-05 , SSM5N03FE , STK0260D , IRF840 , VN10KLS , BFW10 , BFW11 , CS3N20ATH , FHP3205 , FS10KM-12 , FS10KM-2 , FTP50N20R .
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Liste
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