SWD5N65K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWD5N65K
   Código: SW5N65K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWD5N65K

SWD5N65K Datasheet (PDF)

..1. Size:836K 1
swd5n65k.pdf

SW5N65K N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 650V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 10.3nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: LED, Charge, Adaptor 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSFE

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SW5N65K N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 650V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 10.3nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: LED, Charger, Adaptor 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSF

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Liste

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