SWD5N65K Todos los transistores

 

SWD5N65K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD5N65K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SWD5N65K Datasheet (PDF)

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SWD5N65K

SW5N65K N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 650V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 10.3nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: LED, Charge, Adaptor 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSFE

 ..2. Size:667K  samwin
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SWD5N65K

SW5N65K N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 650V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 10.3nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: LED, Charger, Adaptor 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSF

Otros transistores... NDF08N60ZG , NDP08N60ZG , PTF10149 , RJK0234DNS , SPP100N06S2-05 , SPB100N06S2-05 , SSM5N03FE , STK0260D , IRF840 , VN10KLS , BFW10 , BFW11 , CS3N20ATH , FHP3205 , FS10KM-12 , FS10KM-2 , FTP50N20R .

History: FDBL9401L-F085 | RU3080L | STI150N10F7 | KIA3510A-252 | IRFB3006G | IRFR4510PBF | IRF7402PBF

 

 
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