Справочник MOSFET. SWD5N65K

 

SWD5N65K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWD5N65K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SWD5N65K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD5N65K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:836K  1
 swd5n65k.pdf pdf_icon

SWD5N65K

SW5N65K N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 650V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 10.3nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: LED, Charge, Adaptor 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSFE

 ..2. Size:667K  samwin
 swd5n65k.pdf pdf_icon

SWD5N65K

SW5N65K N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 650V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 10.3nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: LED, Charger, Adaptor 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSF

Другие MOSFET... NDF08N60ZG , NDP08N60ZG , PTF10149 , RJK0234DNS , SPP100N06S2-05 , SPB100N06S2-05 , SSM5N03FE , STK0260D , IRF840 , VN10KLS , BFW10 , BFW11 , CS3N20ATH , FHP3205 , FS10KM-12 , FS10KM-2 , FTP50N20R .

History: IPA70R360P7S | WMM15N65C4 | CS7N80FA9 | FDN371N | SIA465EDJ

 

 
Back to Top

 


 
.