Справочник MOSFET. SWD5N65K

 

SWD5N65K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWD5N65K
   Маркировка: SW5N65K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 10.3 nC
   Время нарастания (tr): 22 ns
   Выходная емкость (Cd): 29 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SWD5N65K

 

 

SWD5N65K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:836K  1
swd5n65k.pdf

SWD5N65K
SWD5N65K

SW5N65K N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 650V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 10.3nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: LED, Charge, Adaptor 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSFE

 ..2. Size:667K  samwin
swd5n65k.pdf

SWD5N65K
SWD5N65K

SW5N65K N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 650V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 10.3nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: LED, Charger, Adaptor 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top