SWD5N65K - описание и поиск аналогов

 

SWD5N65K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD5N65K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SWD5N65K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD5N65K даташит

 ..1. Size:836K  1
 swd5n65k.pdf pdf_icon

SWD5N65K

SW5N65K N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 650V ID 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8 )@VGS=10V RDS(ON) 0.8 Low Gate Charge (Typ 10.3nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application LED, Charge, Adaptor 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSFE

 ..2. Size:667K  samwin
 swd5n65k.pdf pdf_icon

SWD5N65K

SW5N65K N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 650V ID 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8 )@VGS=10V RDS(ON) 0.8 Low Gate Charge (Typ 10.3nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application LED, Charger, Adaptor 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOSF

Другие MOSFET... NDF08N60ZG , NDP08N60ZG , PTF10149 , RJK0234DNS , SPP100N06S2-05 , SPB100N06S2-05 , SSM5N03FE , STK0260D , IRF840 , VN10KLS , BFW10 , BFW11 , CS3N20ATH , FHP3205 , FS10KM-12 , FS10KM-2 , FTP50N20R .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.