IPU64CN10NG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPU64CN10NG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm

Encapsulados: TO251

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IPU64CN10NG datasheet

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IPU64CN10NG

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Otros transistores... SVF4N60CAK, SVF4N60CAD, SVF4N60CAT, SVF4N60CAMN, SVF4N60CAMJ, UTC7N65L, WFP75N08, IPU105N03LG, IRF9540N, IPF039N03LG, IPF090N03LG, 7N80L-TA3-T, 7N80L-TF3-T, 7N80L-TF1-T, 7N80L-TQ2-R, 7N80L-TQ2-T, 7N80G-TA3-T