IPU64CN10NG Todos los transistores

 

IPU64CN10NG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPU64CN10NG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPU64CN10NG

 

Principales características: IPU64CN10NG

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 ipd64cn10ng ipu64cn10ng.pdf pdf_icon

IPU64CN10NG

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