IPF039N03LG Todos los transistores

 

IPF039N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPF039N03LG

Código: 039N03L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 94 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V

Carga de compuerta (Qg): 51 nC

Tiempo de elevación (tr): 7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1400 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0039 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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IPF039N03LG Datasheet (PDF)

1.1. ipu039n03lg ipf039n03lg.pdf Size:441K _1

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Type IPF039N03L G IPU039N03L G OptiMOS®3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS • Fast switching MOSFET for SMPS R 3.9 mΩ DS(on),max • Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Very low on-resistance R DS(on)

1.2. ipf039n03lg.pdf Size:788K _infineon

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