IPF039N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPF039N03LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPF039N03LG

IPF039N03LG Datasheet (PDF)

..1. Size:441K 1
ipu039n03lg ipf039n03lg.pdf

Type IPF039N03L GIPU039N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

..2. Size:788K infineon
ipf039n03lg.pdf

pe % # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD R 3DE DH;E5:;@9 ') - . 8AC -'*- m D n) m xR ) BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CDD1)R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ( 5:3@@7> >A9;5 >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ) ' D n)R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 C3E76R *4 8C77 B>3E;@9 , A"- 5A?B>;3@EType #* ( & ! #*/

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: