IPF039N03LG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPF039N03LG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: TO252

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IPF039N03LG datasheet

 ..1. Size:441K  1
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IPF039N03LG

Type IPF039N03L G IPU039N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 3.9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on)

 ..2. Size:788K  infineon
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IPF039N03LG

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Otros transistores... SVF4N60CAD, SVF4N60CAT, SVF4N60CAMN, SVF4N60CAMJ, UTC7N65L, WFP75N08, IPU105N03LG, IPU64CN10NG, IRFP064N, IPF090N03LG, 7N80L-TA3-T, 7N80L-TF3-T, 7N80L-TF1-T, 7N80L-TQ2-R, 7N80L-TQ2-T, 7N80G-TA3-T, 7N80G-TF3-T