IPF039N03LG Todos los transistores

 

IPF039N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPF039N03LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IPF039N03LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:441K  1
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IPF039N03LG

Type IPF039N03L GIPU039N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 ..2. Size:788K  infineon
 ipf039n03lg.pdf pdf_icon

IPF039N03LG

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History: FDWS86368-F085 | NCEP02525G | ST3421SRG

 

 
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