IPF039N03LG - описание и поиск аналогов

 

IPF039N03LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPF039N03LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPF039N03LG

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPF039N03LG даташит

 ..1. Size:441K  1
 ipu039n03lg ipf039n03lg.pdf pdf_icon

IPF039N03LG

Type IPF039N03L G IPU039N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 3.9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on)

 ..2. Size:788K  infineon
 ipf039n03lg.pdf pdf_icon

IPF039N03LG

pe % # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D R 3DE DH;E5 ;@9 ') - . 8AC -'*- m D n) m x R ) BE;?;K76 E75 @A>A9J 8AC 5A@G7CE7CD D 1) R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D R ( 5 3@@7> >A9;5 >7G7> R I57>>7@E 93E7 5 3C97 I BCA6F5E ) ' D n) R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n) R G3>3@5 7 C3E76 R *4 8C77 B>3E;@9 , A"- 5A?B>;3@E Type #* ( & ! #*/

Другие MOSFET... SVF4N60CAD , SVF4N60CAT , SVF4N60CAMN , SVF4N60CAMJ , UTC7N65L , WFP75N08 , IPU105N03LG , IPU64CN10NG , IRF4905 , IPF090N03LG , 7N80L-TA3-T , 7N80L-TF3-T , 7N80L-TF1-T , 7N80L-TQ2-R , 7N80L-TQ2-T , 7N80G-TA3-T , 7N80G-TF3-T .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.