Справочник MOSFET. IPF039N03LG

 

IPF039N03LG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPF039N03LG

Маркировка: 039N03L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 51 nC

Время нарастания (tr): 7 ns

Выходная емкость (Cd): 1400 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0039 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPF039N03LG

 

 

IPF039N03LG Datasheet (PDF)

1.1. ipu039n03lg ipf039n03lg.pdf Size:441K _1

IPF039N03LG
IPF039N03LG

Type IPF039N03L G IPU039N03L G OptiMOS®3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS • Fast switching MOSFET for SMPS R 3.9 mΩ DS(on),max • Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Very low on-resistance R DS(on)

1.2. ipf039n03lg.pdf Size:788K _infineon

IPF039N03LG
IPF039N03LG

 pe % # ! %) # ! ® % (>.;?6?@<> %><1A0@ 'A::.>E Features D R 3DE DH;E5:;@9 ') - . 8AC -'*- m D n) m x R ) BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CD D 1) R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D R ( 5:3@@7> >A9;5 >7G7> R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ) ' D n) R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n) R G3>3@5:7 C3E76 R *4 8C77 B>3E;@9 , A"- 5A?B>;3@E Type #* ( & ! #*/

 

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top