7N80G-TQ2-R Todos los transistores

 

7N80G-TQ2-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 7N80G-TQ2-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

7N80G-TQ2-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  utc
 7n80l-ta3-t 7n80g-ta3-t 7n80l-tf3-t 7n80g-tf3-t 7n80l-tf1-t 7n80g-tf1-t 7n80l-tf2-t 7n80g-tf2-t 7n80l-tf3t-t 7n80g-tf3t-t 7n80l-tq2-t 7n80g-tq2-t 7n80l-tq2-r 7n80g-tq2-r.pdf pdf_icon

7N80G-TQ2-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N80 Power MOSFET 7.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The UTC 7N80 is a N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in 11allowing a minimum on-state resistance and superior switching TO-220F1 TO-220F2pe

 7.1. Size:173K  1
 7n80l-t 7n80g-t.pdf pdf_icon

7N80G-TQ2-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N80 Preliminary Power MOSFET 7.0 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-220The UTC 7N80 is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide costomers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. Ita

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