7N80G-TQ2-R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 7N80G-TQ2-R  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm

Encapsulados: TO-263

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7N80G-TQ2-R datasheet

 ..1. Size:258K  utc
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7N80G-TQ2-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N80 Power MOSFET 7.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1 TO-220 TO-220F DESCRIPTION The UTC 7N80 is a N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in 1 1 allowing a minimum on-state resistance and superior switching TO-220F1 TO-220F2 pe

 7.1. Size:173K  1
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7N80G-TQ2-R

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