MDF1723 Todos los transistores

 

MDF1723 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDF1723
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1830 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

MDF1723 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1120K  1
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MDF1723

MDF1723 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 85A, 2.6m General Description Features The MDF1723 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 40V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 85A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDF1723 is suitable device for Synchronous

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History: NCE2312X | P9515BD | IRFSL31N20DP | AP9563GK | HM4612 | OSG80R900FF | AOTF7N70

 

 
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