MDF1723 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDF1723
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1830 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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MDF1723 datasheet
mdf1723.pdf
MDF1723 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 85A, 2.6m General Description Features The MDF1723 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 40V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 85A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDF1723 is suitable device for Synchronous
Otros transistores... 7N80G-TQ2-R , 7N80G-TQ2-T , AO3419L , CMP100N04 , CMB100N04 , CMI100N04 , HY4306W , HY4306A , NCEP15T14 , ME4410AD , ME4970 , ME4970G , NDP04N60Z , PDEC3907Z , PFB2N60 , PFF2N60 , SI4947ADY .
History: CS4N65A4R | BSS214N | NCE60H10F | VS6880AT | SI4056DY | AO4916L | 2SK1067
History: CS4N65A4R | BSS214N | NCE60H10F | VS6880AT | SI4056DY | AO4916L | 2SK1067
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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